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ISL9305
除非另有说明，所有参数限制都保证在推荐的工作条件和
的典型规格测量在下列条件：T已
A
= + 25 ° C， VINDCD1 = 3.6V ， VINDCD2 = 3.3V 。对于LDO1和LDO2 ，
VINLDOx = VOLDOx + 0.5V至5.5V VINLDOx始终不超过VINDCD1 ，L高
1
= L
2
= 1.5μH ，C
1
= 10μF ，C
4
= C
5
= 4.7μF ，C
2
= C
3
= C
6
=
C
7
= 1μF ，我
OUT
= 0A为DCD1 ， DCD2 ， LDO1和LDO2 （见图1第1页上有详细介绍） 。 （续）
参数
输出电压精度
线路调整
最大输出电流
P沟道MOSFET的导通电阻
V
IN
= 3.6V ，我
O
= 200毫安
V
IN
= 2.3V ，我
O
= 200毫安
N沟道MOSFET的导通电阻
V
IN
= 3.6V ，我
O
= 200毫安
V
IN
= 2.3V ，我
O
= 200毫安
P沟道MOSFET峰值电流限制
西南最大占空比
SW漏电流
PWM开关频率
SW最小导通时间
出血电阻
f
S
VFB = 0.75V
V
IN
= 5.5V
I
PK
符号
测试条件
V
IN
= V
O
+ 0.5V至5.5V （最低2.3V ） ，
1mA负载
V
IN
= V
O
+ 0.5V至5.5V （最低2.3V ）
民
（注6 ）
-3
-
800
-
-
-
-
1.075
-
-
2.6
-
-
典型值
-
0.1
-
0.14
0.24
0.11
0.18
1.3
100
0.005
3.0
70
115
最大
（注6 ）
+3
-
-
0.2
0.40
0.2
0.34
1.6
-
1
3.4
-
-
单位
%
%/V
mA
A
%
A
兆赫
ns
电气规格
PG
输出低电压
瑞星延迟时间
下降延时
PG引脚漏电流
PG低阈值上升
PG低阈值下降
PG高阈值上升
PG高阈值下降
下沉1mA时， FB1 FB2 = = 0.7V
基于1ms的编程标称延时
时间
基于1ms的编程nonimal延迟
时间
PG = VINDCD1 = VINDCD2 = 3.6V
标称稳压值的百分比
标称稳压值的百分比
标称稳压值的百分比
标称稳压值的百分比
-
0.6
-
-
-
-
-
-
-
1.1
30
0.005
91
87
112
109
0.25
1.8
-
0.1
-
-
-
-
V
ms
s
A
%
%
%
%
LDO1和LDO2
VINLDO1 ， VINLDO2电源电压
VINLDO1 ， VINLDO2欠压
锁定阈值
内置峰值电流限制
输入输出电压差
I
O
= 300毫安， VO
≤
2.1V
I
O
= 300毫安， 2.1V < VO
≤
2.8V
I
O
= 300毫安， VO > 2.8V
电源抑制比
输出电压噪声
I
O
= 300毫安@ 1kHz时，V
IN
= 3.6V ， VO = 2.6V ，
T
A
= +25°C
V
IN
= 4.2V ，我
O
= 10毫安，T
A
= + 25 ° C， BW = 10Hz的
至100kHz
V
UVLO
不超过VINDCD1高
VINDCD1 = 2.3V ，瑞星
VINDCD1 = 2.3V ，落
1.5
-
1.33
350
-
-
-
-
-
-
1.41
1.37
425
125
100
80
55
45
5.5
1.46
-
540
250
200
170
-
-
V
V
V
mA
mV
mV
mV
dB
V
RMS
注意：
6.遵守以数据表的限制是有保证的一种或多种方法：生产测试，表征和/或设计。
6
FN7605.0
2010年11月8日
