技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
齐纳二极管， 500mW的
无铅封装用于表面安装
低反向漏电流特性
冶金结合
每个合格的MIL -PRF-四百三十七分之一万九千五
器件
合格水平
1N5518BUR - 1直通1N5546BUR - 1
和
CDLL5518通CDLL5546D
最大额定值在25℃
结温和存储温度：
DC功耗：
额定功率降低：
正向电压@ 200毫安：
-65 ° C到+ 175℃
500mW的@ T
EC
= +125°C
10毫瓦/ ° C以上牛逼
EC
= +125°C
最高1.1伏特
JAN
JANTX
JANTXV
D
电气特性
(T
A
= 25 ° C，除非另有规定编）
公称
齐纳
电压
V
Z
@ I
ZT
（注2 ）
伏
CDLL5518B
CDLL5519B
CDLL5520B
CDLL5521B
CDLL5522B
CDLL5523B
CDLL5524B
CDLL5525B
CDLL5526B
CDLL5527B
CDLL5528B
CDLL5529B
CDLL5530B
CDLL5531B
CDLL5532B
CDLL5533B
CDLL5534B
CDLL5535B
CDLL5536B
CDLL5537B
CDLL5538B
CDLL5539B
CDLL5540B
CDLL5541B
CDLL5542B
CDLL5543B
CDLL5544B
CDLL5545B
CDLL5546B
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
25.0
28.0
30.0
33.0
齐纳
TEST
当前
I
ZT
mA
20
20
20
20
10
5.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
马克斯。齐纳
阻抗
B-C -D
苏FFI X
Z
ZT
@ I
ZT
（注3）
欧
26
24
22
18
22
26
30
30
30
35
40
45
60
80
90
90
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
最大反向漏
当前
I
R
（注4 ）
μAdc
5.0
3.0
1.0
3.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.1
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
V
R
- 伏特
NON &
A-
苏FFI X
0.90
0.90
0.90
1.0
1.5
2.0
3.0
4.5
5.5
6.0
6.5
7.0
8.0
9.0
9.5
10.5
11.5
12.5
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
20.0
21.0
23.0
24.0
28.0
B-C -D-
苏FFI X
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
9.9
10.8
11.7
12.6
13.5
14.4
15.3
16.2
17.1
18.0
19.8
21.6
22.4
25.2
27.0
29.7
B-C -D
苏FFI X
MAIMUM
直流稳压
I
ZM
mA
115
105
98
88
81
75
68
61
56
51
46
42
38
35
32
29
27
25
24
22
21
20
19
17
16
15
14
13
12
规
因素
当前
ΔV
Z
（注5 ）
伏
0.90
0.90
0.85
0.75
0.60
0.65
0.30
0.20
0.10
0.05
0.05
0.05
0.10
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
低
V
Z
当前
I
ZL
TYPE
数
（注1 ）
G
G1
F
mA
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
0.25
0.25
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
S
MILLIMETERS
暗淡
D
F
G
G1
S
民
1.60
0.41
3.30
最大
1.70
0.55
3.70
英寸
民
0.063
0.016
.130
最大
0.067
0.022
.146
2.54 REF 。
0.03分钟
.100 REF 。
0.001分
图1
设计数据
案例：
DO- 213AA ，全密封的玻璃柜。
（ MELF ， SOD- 80 ， LL34 ）
铅表面处理：
锡/铅
热阻（R
JEC
):
100℃ / W最大为L = 0英寸
热阻抗： （Z
θJX
):
35 ° C / W最高
极性：
二极管与带状被操作
（阴极）端阳性。
MOUTING表面选择：
扩大这样做的轴向系数（ COE ）
设备是大约+ 6PPM / ℃。的的COE
安装面系统，应该选择
提供了一个合适的匹配与此设备。
注1 ：没有后缀类型号为± 20 ％有保证的限制只有V
Z
, I
R
和V
F
。单位以“A”
后缀为± 10 ％，有保证的限制V
Z
, I
R
和V
F
。单位担保限额为所有六个
参数由“B ”后缀表示为± 5.0 ％的单位， “C”为后缀的± 2.0 ％和“D”后缀
±1.0%.
注2 ：齐纳电压是在环境测量在热平衡的器件结
温度为25℃ ±3 ℃。
注3 ：齐纳阻抗是由叠加在我衍生
ZT
60Hz的交流电有效值电流等于I 10 ％
ZT
.
注4 ：反向漏电流在V测
R
如在表中所示。
注5 ：
ΔV
Z
为V之间的最大差
Z
在我
ZT
和V
Z
在我
ZL
与设备连接处测量
在热平衡。
LDS -0037修订版1（ 072304 ）
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