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数据表
应用信息
外部元件
ISO_Sx （V
OUT
）电容的选择
为了获得稳定运行
ADP5061
一种安全的方式，在
在ISO_Sx电容和组合有效电容
系统容量不得小于20 μF ，切莫
超过100 μF ，在操作过程中的任何一点。
在选择电容值，这也是很重要的
占容量的损失，由于输出电压
直流偏置。陶瓷电容器与各种制
电介质，每个随温度不同的行为和
施加的电压。电容器必须具有电介质是足够
以确保在必要的最小电容
温度范围和直流偏置条件。 X5R或X7R电介质
为6.3伏或更高的电压等级被推荐为最佳
性能。 Y5V和Z5U电介质不推荐
其差的，因为与任何的DC- DC转换器的使用
温度和直流偏置特性。
在最坏情况下的电容占电容变化
温度过高，元件容差和电压calcu-
使用以下等式迟来：
C
EFF
=
C
OUT
× (1
温度系数）
× (1
TOL ）
其中：
C
EFF
是在工作电压的有效电容。
温度系数
是最坏情况下的电容温度系数。
托尔
是最坏情况下的元件容差。
在这个例子中，最坏情况下的温度系数
（ TEMPCO ）在-40° C至+ 85 ° C的温度范围是
假定为电介质为X7R 15％。的公差
电容器（ TOL）被假定为20％ ，和C
OUT
30.4 μF的
5.0 V时，如图38 。
60
55
50
电容（ μF ）
ADP5061
在方程收率这些值代入
C
EFF
= 34.3 μF × (1 0.15) × (1 0.2) ≈ 20.7 μF
为了保证在各种操作充电器的性能
模式，包括涓流充电，恒流充电，并
恒定电压充电，当务之急是直流的影响
偏置，温度和公差对电容的行为
器进行评估，为每个应用程序。
分裂ISO_Sx电容
在许多应用中，总ISO_Sx电容组成的一个
电容器的数目。该系统电压节点（ ISO_Sx ）通常
提供了一个单一的监管机构或数字IC和监管机构，
每一个都需要一个电容接近其电源
输入（参见图39）。
电容接近
ADP5061
ISO_Sx输出应
至少10 F ，只要总的有效电容是至少
20 μF ，在操作过程中的任何一点。
ISO_Sx
VIN1
C
ISO_S
≥10F
C
IN1
IC1
ADP5061
ISO_Bx
+
C
ISO_B
≥10F
切实有效地SUM
电容
ON ISO_Sx NODE ≥ 20μF
VIN2
C
IN2
IC2
10544-038
图39.分割ISO_Sx电容
ISO_Bx电容的选择
该ISO_Bx有效电容（包括温度和
直流偏置效应）不得小于10 μF的过程中的任何一点
操作。典型地， 22 F的标称容量是必需的
履行在操作的所有点的条件。建议
一个ISO_Bx电容器列于表35 。
45
40
35
30
25
20
CBP电容的选择
的内部电源电压
ADP5061
配备有一个
噪声抑制电容的CBP终端。不要让CBP
容量将超过14 nF的，在操作过程中的任何一点。办
不连接任何外部电压源，任何阻性负载，或
任何其它当前负载到CBP的终端。建议一
CBP的电容器示于表36中。
0
1
2
3
4
5
直流偏置电压（V）的
图38.村田GRM32ER61A476ME20C电容与偏置电压
10544-041
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