数据表
满足了±5％的过冲和下冲的要求，利用
根据以下公式来计算电容：
ADP2325
图52所示为1.2 V电压轨波特图5 A.交叉
频率为42 kHz和相位裕度为50° 。
60
48
36
24
量（dB ）
C
OUT_OV
C
OUT_UV
K
OV
×
I
步
2
×
L
=
(
V
OUT
+
V
OUT
_
OV
)
2
V
OUT
2
K
UV
×
I
步
2
×
L
=
2
×
(
V
IN
V
OUT
)
×
V
OUT
_
UV
180
144
108
72
36
0
–36
–72
–108
–144
10k
100k
1M
10036-061
12
0
–12
–24
–36
–48
–60
1k
1
2
为进行估计，使用k
OV
= K
UV
= 2，对于V
OUT1
= 1.2 V,
采用C
OUT_OV1
= 188 μF和C
OUT_UV1
= 21 μF 。对于V
OUT2
= 3.3 V,
采用C
OUT_OV2
= 55 μF和C
OUT_UV2
= 21 F.
对于1.2 V供电轨的输出电容器的ESR要小
大于8.3毫欧，而输出电容必须大于
188 μF 。它是建议3 100 μF ， X5R ， 6.3 V陶瓷
电容器被使用，如从GRM32ER60J107ME20
村田制作所，与ESR = 2 MΩ。
对于3.3 V供电轨，输出电容的ESR必须
小于23毫欧，而输出电容必须
大于55 μF大。建议两个47 μF ， X5R ，
6.3 V陶瓷电容器中使用，如村田
GRM32ER60J476ME20 ，用ESR = 2 MΩ。
–180
频率（Hz）
图52.波特图1.2 V轨
对于3.3 V供电轨， 47 μF陶瓷输出电容具有
32 μF降额值。
R
C2
=
C
C2
=
C
CP2
=
2
×
π
×
3.3 V
×
2
×
32 μF
×
50千赫
0.6 V
×
500 μS
×
8.33 A / V
26.5
kΩ
=
26.5 kΩ
低边MOSFET的选择
一个低R
DSON
N沟道MOSFET被选择为高效率
的解决方案。 MOSFET的击穿电压必须大于
1.2 V× V
IN
和漏极的电流必须大于
1.2 V ×I
极限
.
所以建议一个30伏，可以使用N沟道MOSFET ，如
从飞兆半导体的FDS8880 。第r
DSON
该FDS8880在中
4.5 V驱动电压为12毫欧，总栅极电荷为12 NC 。
(
0.66 Ω
+
0.001Ω
)
×
2
×
32μF
=
1594 pF的
0.001 Ω
×
2
×
32 μF
26.5
kΩ
=
2.4 pF的
利用R的标准组件值
C2
= 27 kΩ和
C
C2
= 1500 pF的，没有C
CP2
是必要的。
图53所示为3.3 V电压轨波特图5 A.交叉
频率为55 kHz和相位裕度为67 ° 。
60
48
36
24
量（dB ）
补偿元件
为了更好的负载瞬态和稳定的性能，设置
交叉频率f
C
，至f
SW
/ 10 。在这种情况下中，f
SW
运行频率为500 kHz ;
因此，的F
C
被设定为50千赫。
对于1.2 V供电轨， 100 μF陶瓷输出电容器
64 μF的降额值。
R
C1
=
C
C1
=
C
CP1
=
180
144
108
72
36
0
–36
–72
–108
–144
10k
100k
1M
10036-062
12
0
–12
–24
–36
–48
2
×
π
×
1.2 V
×
3
×
64 μF
×
50千赫
(
0.24 Ω
+
0.001Ω
)
×
3
×
64 μF
=
1598 pF的
28.9 kΩ
0.001 Ω
×
3
×
64 μF
28.9 kΩ
=
6.6 pF的
0.6 V
×
500 μS
×
8.33 A / V
=
28.9 kΩ
–60
1k
1
2
–180
其中，通过选择标准分量R
C1
= 28 kΩ的和C
C1
=
1500 PF，没有C
CP1
是必要的。
频率（Hz）
图53.波特图3.3 V轨
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相位（度）
相位（度）
