Si5513CDC
Vishay Siliconix公司
P- CHANNEL典型特征
25 ℃，除非另有说明
8
2.0
V
GS
= 5
V
直通3
V
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 2.5
V
4
I
D
- 漏电流（ A）
6
1.5
1.0
T
C
= 25 °C
0.5
T
C
= 125 °C
V
GS
= 2
V
2
V
GS
= 1.5
V
0
0
1
2
3
4
5
0.0
0.0
T
C
= - 55 °C
0.5
1.0
1.5
2.0
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.30
450
传输特性
0.25
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
V
GS
= 2.5
V
0.20
- 电容（pF ）
360
C
国际空间站
270
0.15
V
GS
= 4.5
V
180
C
OSS
C
RSS
0
0.10
0.05
90
0.00
0
2
4
I
D
- 漏电流（ A）
6
8
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 2.4 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
8
V
DS
= 10
V
6
V
DS
= 16
V
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.4
1.6
电容
V
GS
= - 4.5
V;
I
D
= - 2.4 A
（归一化）
1.2
1.0
V
GS
= - 2.5
V;
I
D
= - 1.9 A
2
0.8
0
0
2
4
6
8
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
www.vishay.com
8
导通电阻与结温
文档编号： 68806
S10-0547 -REV 。 C， 08 -MAR- 10
