SPICE器件模型Si7945DP
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
符号
测试条件
模拟
数据
2.1
287
0.016
0.024
28
0.83
测
数据
单位
V
GS （ TH）
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250 A
V
DS
=
5
V, V
GS
=
10
V
V
GS
=
10
V，I
D
=
10.9 A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
8.8
A
V
DS
=
15
V，I
D
=
10.9
A
I
S
=
2.9
A，V
GS
= 0 V
V
A
0.016
0.025
26
0.80
S
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=
15
V ，R
L
= 15
I
D
1
A，V
根
=
10
V ，R
G
= 6
V
DS
=
15
V, V
GS
=
10
V，I
D
=
10.9
A
33
7.3
13
14
13
103
38
49
7.3
13
15
15
130
80
ns
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 72183
S- 60261Rev 。 B， 27 -FEB -06
