Si7960DP

Vishay Siliconix公司

双N通道60 -V （D -S ）的MOSFET

产品概述

V

DS

(V)

60

R

DS （ ON）

(Ω)

0.021在V

GS

= 10 V

0.025在V

GS

= 4.5 V

I

D

(A)

9.7

8.9

特点

无卤符合IEC 61249-2-21

可用的

TrenchFET

功率MOSFET

新的低热阻的PowerPAK

包

双MOSFET节省空间

采用PowerPAK SO- 8

6.15 mm

S1

1

2

5.15 mm

G1

S2

D

1

D

2

3

4

D1

G2

8

7

D1

D2

G

1

D2

G

2

6

5

底部视图

订货信息：

Si7960DP -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）

Si7960DP -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）

S

1

N沟道MOSFET

S

2

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

T

A

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

J

= 150 °C)

a

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

a

单雪崩电流

单雪崩能量

最大功率耗散

a

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

B，C

L = 0.1 mH的

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

I

AS

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

10 s

稳定状态

60

± 20

9.7

7.8

40

2.9

23

27

3.5

2.2

- 55 150

260

1.4

0.9

1.2

mJ

W

°C

6.2

5.0

A

单位

V

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

a

最大结至外壳（漏）

t

≤

10 s

稳定状态

稳定状态

符号

R

thJA

R

thJC

典型

26

60

2.2

最大

35

85

2.7

单位

° C / W

注意事项：

一。表面安装在1" X 1" FR4板。

B 。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。采用PowerPAK SO -8是一种无引线封装。引线端子的端部露出铜

（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，不

需要保证足够的底侧的焊料互连。

。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。

文档编号： 73075

S09-0223 -REV 。 B， 09 -FEB -09

www.vishay.com

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