新产品
Si8800EDB
Vishay Siliconix公司
N沟道20 V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
0.080在V
GS
= 4.5 V
20
0.090在V
GS
= 2.5 V
0.105在V
GS
= 1.8 V
0.150在V
GS
= 1.5 V
I
D
(A)
a
2.8
2.6
2.4
2.0
3.2 NC
Q
g
（典型值）。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
超小型0.8毫米×0.8 mm外形
超薄0.357毫米高度
典型ESD保护1500 V
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
MICRO FOOT
凹凸面
意见
背面
意见
S
2
G
1
便携式设备，如手机，
智能手机和MP3播放器
- 负荷开关
- 小信号开关
R
G
D
800
XXX
S
3
D
4
器件标识：
800
XXX =日期/批次追踪码
订货信息：
Si8800EDB -T2 -E1 （铅（ Pb），并且无卤素）
S
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
最大功率耗散
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
c
T
J
, T
英镑
P
D
I
S
I
DM
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
20
±8
2.8
a
2.2
a
2.0
b
1.6
b
15
0.7
a
0.4
b
0.9
a
0.6
a
0.5
b
0.3
b
- 55 150
260
°C
W
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大
A，D
符号
t
≤
5s
R
thJA
典型
105
200
最大
135
260
单位
° C / W
结到环境
B，E
注意事项：
一。表面安装1" X 1" FR4板，全铜的，T = 5秒。
B 。表面安装1" X 1" FR4板最小铜，T = 5秒。
。参阅IPC / JEDEC （ J-STD- 020C ） ，无需人工或手工焊接。
。在稳态条件下最大为185 ° C / W 。
。在稳态条件下最大为330 ° C / W 。
文档编号： 66700
S10-1046 -REV 。 A， 03月10
www.vishay.com
1
