BZT55-Series

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基本特征

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

600

500

400

300

200

100

0

0

95 9602

威世半导体

P

合计

- 总功率耗散（ mW）的

15

TK

VZ

- 温度系数

of

V

Z

(10

-4

/K)

10

5

I

Z

= 5毫安

0

-5

80

120

160

40

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

200

95 9600

0

10

20

30

40

50

V

Z

- z - 电压（V）

图。 1 -

总功率耗散与环境温度

图。 4 -

V温度COEF网络cient

Z

与Z-电压

1000

200

T

j

= 25 °C

100

C

D

- 二极管电容（pF ）

V

Z

-

电压

CHANGE （MV ）

150

V

R

= 2

V

T

j

= 25 °C

100

I

Z

= 5毫安

10

50

1

0

95 9598

0

5

10

15

20

25

95 9601

0

5

10

15

20

25

V

Z

- z - 电压（V）

V

Z

- z - 电压（V）

图。 2 -

工作电压下工作的典型变化

在T条件

AMB

=25°C

图。 5 -

二极管电容与Z-电压

1.3

100

V

ZTN

- 相对电压变化

V

ZTN

= V

Zt

/V

Z

(25 °C)

I

F

- 正向电流（mA ）

1.2

TK

VZ

= 10 x 10

-4

/K

8 x 10

-4

/K

6 x 10

-4

/K

4 x 10

-4

/K

2 x 10

-4

/K

10

1.1

1

T

j

= 25 °C

1.0

0.9

0

- 2×10 / K的

- 4 x 10

-4

/K

-4

0.1

0.01

0.8

- 60

95 9599

0.001

0

60

120

180

240

95 9605

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

T

j

- 结温（ ° C）

V

F

- 前进

电压

(V)

图。 3 -

工作电压的典型变化与结

温度

图。 6 -

正向电流与正向电压

修订版1.7 ， 22 -NOV- 11

文档编号： 85637

4

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