BZM55-Series

威世半导体

典型特征

T

AMB

= 25℃，除非另有说明

P

合计

- 总功率耗散（ mW）的

600

500

400

300

200

100

0

0

95 9602

200

C

D

- 二极管电容（pF ）

150

V

R

= 2

V

T

j

= 25 °C

100

50

0

80

120

160

40

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

200

95 9601

0

5

10

15

20

25

V

Z

- z - 电压（V）

图1.总功率耗散与环境温度

图4.二极管电容与Z-电压

1000

1.3

V

ZTN

- 相对电压变化

V

ZTN

= V

Zt

/V

Z

(25 °C)

1.2

TK

VZ

= 10 x 10

-4

/K

8 x 10

-4

/K

6 x 10

-4

/K

4 x 10

-4

/K

2 x 10

-4

/K

V

Z

-

电压

CHANGE （MV ）

T

j

= 25 °C

100

1.1

I

Z

= 5毫安

10

1.0

0.9

0.8

0

- 2 x 10

-4

/K

- 4 x 10

-4

/K

1

0

95 9598

5

10

15

20

25

95 9599

- 60

0

60

120

180

240

V

Z

- z - 电压（V）

T

j

- 结温（ ° C）

工作电压下运行图2.典型的变化

在T条件

AMB

=25°C

15

工作电压与图5.典型的变化

结温

100

TK

VZ

- 温度系数

of

V

Z

(10

-4

/K)

I

F

- 正向电流（mA ）

10

10

T

j

= 25 °C

1

5

I

Z

= 5毫安

0

0.1

0.01

-5

0.001

0

95 9600

10

20

30

40

50

95 9605

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

Z

- z - 电压（V）

V

F

- 前进

电压

(V)

Vz的图3.温度系数与Z-电压

图6.正向电流与正向电压

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4

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