BYT52A ， BYT52B ， BYT52D ， BYT52G ， BYT52J ， BYT52K ， BYT52M

快速雪崩二极管Sinterglass

威世半导体

P

R

- 反向功率耗散（MW ）

500

40

V

R

= V

RRM

F = 1 MHz的

400

350

300

250

200

150

100

50

0

25

50

75

100

125

150

175

P

R

-limit

在80 ％的V

R

P

R

-limit

在100 ％的V

R

C

D

- 二极管电容（pF ）

450

35

30

25

20

15

10

5

0

0.1

1

10

100

16331

T

j

- 结温（ ° C）

16332

V

R

- 反向电压（ V）

图。 5 - 最大。反向功率耗散与结温

图。 6 - 二极管电容与反向电压

包装尺寸

以毫米（英寸）：

SOD-57

0.82（ 0.032 ）最大。

26 （ 1.024 ）分钟。

4 （ 0.157 ）最大。

26 （ 1.024 ）分钟。

文档编号： 86029

修订版1.7 ， 30 10年7月

3.6 （ 0.142 ）最大。

20543

您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：

DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com

www.vishay.com

3