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电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
动态特性
动态饱和电压
基本特征
开关特性
输入电容
(V
EB
= 8伏, F = 1兆赫)
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0中,f = 1 MHz)的
电流增益带宽
(I
C
= 1 ADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1兆赫)
动态饱和
电压:
确定3
ms
我上升
B1
达到90%
网络最终我
B1
(参见图19)
直流电流增益(I
C
= 20 ADC ,V
CE
= 5 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 2的ADC ,我
B
= 0.4 ADC)
基射极饱和电压
(I
C
= 10位ADC ,我
B
= 2 ADC)
发射极截止电流
(V
EB
= 9 VDC ,我
C
= 0)
集电极基极电流
(V
CB
=额定V
CBO
, V
EB
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
CES
, V
EB
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
首席执行官
, I
B
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
EBO
= 1 mA)的
集电极 - 基极击穿电压
(I
CBO
= 1 mA)的
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 100毫安, L = 25毫亨)
(I
C
= 20 ADC ,我
B
= 4 ADC)
(I
C
= 10位ADC ,我
B
= 2 ADC)
(I
C
= 100 MADC ,V
CE
= 5 V直流)
(I
C
= 2的ADC ,V
CE
= 1伏)
(I
C
= 10位ADC ,V
CE
= 5 V直流)
特征
I
C
= 10位ADC ,我
B1
= 2 ADC
V
CC
= 300 V
I
C
= 5 ADC ,我
B1
= 1 ADC
V
CC
= 300 V
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
http://onsemi.com
BUH150G
2
V
CEO ( SUS )
V
CE ( DSAT )
符号
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
CBO
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
I
CES
C
ob
h
FE
f
T
C
ib
700
400
4
2.5
10
12
14
10
8
6
1300
0.45
0.16
0.15
12.3
典型值
100
860
460
2.4
2.8
1.5
7
4.5
23
20
20
22
12
10
5
2
1
1750
100
1000
100
1000
1.25
最大
150
100
100
0.4
0.4
5
1
MADC
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
pF
V
V
V
V

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