BU7291G,BU7291SG,BU7255HFV,BU7255SHFV,
BU7495HFV,BU7495SHFV,BU7481G,BU7481SG,BU7485G,BU7485SG,BU5281G,BU5281SG
技术说明
●降额
曲线
功耗（总损耗）表示可以通过集成电路在Ta被消耗掉的功率= 25 ℃ （常温） .IC加热
当它消耗的功率，和IC船舶的温度比周围温度高。该温度
可以通过IC芯片被接受取决于电路结构，制造工艺，和消耗的功率是有限的。
功耗由在IC芯片（最大结点温度）和热使温度确定
封装（散热能力）的阻力。最大结温度通常等于最大
在存储封装（散热性）值。最大结温度通常等于
在存储温度范围内的最大值。由集成电路所消耗的功率产生的热量从模具树脂辐射或
封装的引线框架。这表示在此散热性（热释放的硬度）的参数被称为
热敏电阻，用符号表示的
θJ -A [ ℃ / W] 。
IC的封装内的温度可以通过估计
这个热阻。
图149 （ a）示出了封装的热电阻的模型。热电阻
θJA ，
周围温度Ta ，结
温Tj和功耗的Pd ，可以计算由下式：
θJA
= （ TJ - Ta）的/钯
[℃/W]
(Ⅰ)
在图149 （二）衰减曲线表明功率能够由集成电路所消耗，参照环境温度。力量
可以通过集成电路消耗开始衰减，在某些环境温度。这种梯度是通过热测定
阻力
θJA 。
热阻
θJA
取决于芯片大小，功耗，封装，环境温度，包
条件下，风速等，即使在同一个包中被使用。热还原曲线表示的参考值
在指定的条件下进行测定。图150 （ C） - （D ）显示为BU7291的家庭， BU7255家族的一个例子的降额曲线，
BU7495的家庭， BU7481家庭， BU7485家庭， BU5281的家庭。
[W]
PD （最大）
θJA
=
（ TJ的Ta ） / PD [
℃
/ W]
－
IC的功耗
P2
θja2
<θja1
环境温度Ta [
℃
]
包装脸温度Ta [
℃
]
P1
θja1
θja2
TJ（MAX）
钯[W]
芯片表面温Tj [
℃
]
0
25
50
75
100
125
（一）热电阻
环境温度Ta [ ℃ ]
（二）降额曲线
图149热电阻和降额
（一）热电阻
1000
540[mW]
1000
POW ER耗散[毫瓦]
BU7291G(*20)
BU7481G(*20)
BU7485G(*20)
BU5281G(*20)
54 0 [M W]
POW ER耗散[M W]
800
800
53 5 [M W]
BU7291SG(*20)
BU7481SG(*20)
BU7485SG(*20)
BU5281SG(*20)
600
535[mW]
BU7255HFV(*21)
BU7495HFV(*21)
600
BU7255SHFV(*21)
BU7495SHFV(*21)
400
400
200
200
0
0
50
100
环境温度[
℃
]
85
0
105
0
50
100
环境温度[
℃
]
150
150
（三） BU7291G BU7481G BU7485G
BU5281G BU7255HFV BU7495HFV
（四） BU7291SG BU7481SG BU7485SG
BU5281SG BU7255SHFV BU7495SHFV
(*20)
5.4
(*21)
5.35
单位
[毫瓦/ ℃ ]
当使用上面的Ta = 25 ℃ ]的单位，减去上述每度[ ℃ ]的值。允许的耗散值
当FR4玻璃环氧树脂板70毫米] ×70 [ MM] × 1.6 [ MM] （低于3 [％]库珀箔区）安装
图150降额曲线
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