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BU52001GUL,BU52011HFV,BU52021HFV,BU52015GUL,BU52025G,BU52051NVX,
BU52053NVX,BU52054GWZ,BU52055GWZ,BU52056NVX,BU52061NVX,BD7411G
注意事项
对于使用
技术说明
1 ）绝对最大额定值
超过供电电压，操作条件等的绝对最大额定值可能导致损坏或
破坏的IC 。因为源（短模式或打开模式），如果被损坏的器件在此无法确定
方式，采取物理安全措施，如当执行任何特殊操作模式，能够以融合是很重要的
超过绝对额定值限制。
2 ）电压GND
确保GND端子电位保持在最小，在任何操作状态，并始终保持低
比所有其他引脚的电势。
3 ）热设计
使用散热设计，使有足够的余量光的功耗在实际工作条件下（ PD）的。
4 ）引脚短路和安装错误
定位芯片安装在印刷电路板时要小心。安装误差，如定位不当
或取向，可能会损坏或破坏该设备。该IC也可能被损坏或毁坏，如果输出引脚短接
在一起，或者之间输出引脚和电源引脚或GND发生短路。
5 ）定位元件在靠近霍尔IC和磁铁
定位在靠近霍尔IC或磁铁部件可改变磁场，因此
磁性检测操作。因此，将磁性元件附近的霍尔IC和磁铁应避免
的设计，如果可能的。然而，在没有替代采用这样的设计，一定要彻底的测试和
评价以代替磁性组分的性能实现设计之前验证正常运行。
6 ）滑动，通过位置检测
图73描述了滑盖通过用于位置检测的配置。需要注意的是，当磁铁之间的间隙（四）
与霍尔IC变窄，由磁体产生的反向磁场可以使IC出现故障。如图所示
在图74中，磁场运行在A点和B点相对的方向。由于双极检测霍尔IC可以
检测S极在点A和N极在点B时，它可以卷起通过在切换输出ON作为磁铁的幻灯片
位置检测的过程。图。磁铁滑动通过在75地块的磁通密度。虽然反磁性
领域进行了在这个过程中产生的磁通密度降低与磁体的中心相比较。这
表明，略微加宽的磁铁和霍尔IC之间的间隙（四）减少反向磁场和
防止故障。
磁FUX密度[ OT]
磁铁
SLIDE
磁通
霍尔IC
L
Fig.73
A
S
N
Fig.74
B
磁通
10
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
0
1
2
3
4
5
反向
磁
场
6
7
8
9
10
从磁体水平距离[毫米]
Fig.75
7 ）运行在强电磁场
小心谨慎地使用有关设备在强电磁场的存在，这样的使用可能引起
IC产生误操作。
8 ）公共阻抗
确保在电源和GND布线限制公共阻抗尽可能通过，例如，
采用短而粗的电源线和接地线。同时，采取措施，尽量减少纹波，如使用电感或
电容。
9 ） GND布线图案
当这两个小信号GND和高电流GND被提供，单点接地在设定的基准点
PCB的建议，以分离小信号和大电流模式，并确保电压的变化
由于布线电阻和高的电流不会导致在小信号GND任何电压波动。在相同的
方式，护理也必须注意避免在外部元件的GND布线图案的布线图案的波动。
10 ）暴露在强光
暴露于卤素灯，紫外线等强光源可能会导致IC故障。如果IC是受到这种
曝光，提供了一个屏蔽，或采取其他措施，以保护其免受光。在测试中，暴露在白光LED和
荧光光源显示出具有在IC上无显著效果。
11 ）电源设计
由于IC进行间歇操作时，它具有的峰值电流时，它的开启。请考虑到这一点，并在
在设计电源时，检查足够的评估。
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