BU
TA2WNVX系列， BU
TA2WHFV系列
技术说明
●关于
功率耗散（ PD ）
至于功耗，热还原特性和内部功耗的粗略估计
IC显示，所以请使用这些参考。由于功耗大幅度的变化依赖于
执行条件（基板尺寸，板的厚度，金属布线率，层和通孔的数目等），它是
推荐以测量在一组基板的Pd 。超过集成电路的功耗可能会导致原始的劣化
IC的性能，如造成电流能力热关断电路或减少操作。因此，可以
请务必功耗内准备足够的保证金方可使用。
计算IC的最大内部功耗（P
最大
)
P
最大
=(V
IN
-V
OUT
)×I
OUT
（ MAX 。 ）（V
IN
：输入电压V
OUT
：输出电压余
OUT
（MAX） ：最大输出电流）
测量条件
评估板1
（单面电路板）
40
20
评估板2
（双面电路板）
40
20
40 20
40 20
布局董事会
测量
（单位：毫米）
顶层（顶视图）
40
顶层（顶视图）
40
20
IC实现定位
40
40 20
底层（顶视图）
测量状态
板材料
板尺寸
顶层
接线率
底层
通孔
功耗
热阻
金属（ GND ）接线率：约0 ％
0孔
1100毫瓦
θja=91℃/W
随着电路板来实现（风速度为0米/秒）
底层（顶视图）
随着电路板来实现（风速度为0米/秒）
玻璃环氧树脂（单面电路板）
40毫米×40毫米× 0.8毫米
金属（ GND ）接线率：约。 25 ％
玻璃环氧树脂（双面电路板）
40毫米×40毫米× 0.8毫米
金属（ GND ）接线率：约。 25 ％
金属（ GND ）接线率：约25 ％
直径0.5毫米
12洞
1250毫瓦
θja=80℃/W
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2011.01 - Rev.C
