高电流PN半桥
BTN7933B
框图
2
框图
该BTN7933B是NovalithIC 系列包含在一个封装中三个独立的芯片的一部分：一个P沟道
高侧MOSFET和一个n沟道低侧MOSFET及一个驱动器IC ，从而形成一个集成的高
当前半桥。所有的三个芯片安装在一个公共引线框架，使用由芯片上和芯片的芯片
芯片技术。电源开关采用垂直MOS技术，以确保最佳状态抗性。
由于P沟道高边开关需要一个电荷泵从而消除了最小化电磁干扰。接口
微控制器是由简单的集成的驱动IC为特色的逻辑电平输入，诊断
电流检测，转换率的调整，死区时间生成，智能夹紧在过压和防
过温，欠压，过流和短路。该BTN7933B可以与其它组合
BTN7933B形成H桥和三相驱动器配置。
2.1
框图
VS
UNDERVOLT 。
发现
OVERVOLT 。
发现
当前
SENSE
Overcurr 。
发现
HS
过温。
发现
IS
数字逻辑
IN
栅极驱动器
HS
LS关闭
HS OFF
OUT
栅极驱动器
LS
INH
SR
斜率指
调整
Overcurr 。
发现
LS
GND
图1
框图
2.2
条款
下图显示了在此数据表中使用的术语。
V
S
I
IN
IN
VS
I
VS
, -I
D（ HS ）
V
DS （ HS ）
V
IN
V
INH
V
SR
I
INH
INH
I
OUT
, I
L
UT
I
SR
SR
V
SD（ LS）的
V
OUT
I
IS
IS
摹ND
V
IS
I
GND ，
I
D（ LS ）
图2
数据表
条款
4
1.0版， 2009-09-09
