大电流H桥
BTM7742G
应用信息
7
应用信息
注意：以下信息给出一个提示只有在设备的实施和不得
作为该装置的一个特定功能，条件或质量的说明或担保。
微控制器
XC866
I / O
RESET
VDD
C
Q
22F
稳压器
WO
RO
Q
D
C
D
47nF
反接
保护
V
S
TLE
4278G
GND
I
D
Z1
10V
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
VSS
R
1
10kΩ
例如
IPD50P03P4L-11
BTM7742G
INH
R
INH
4.7kΩ
VS
HS2
VS
C
Sc
C
S
HS1
IN1
R
IN1
4.7kΩ
OUT1
IN2
R
IN2
4.7kΩ
OUT2
M
IS
LS1
GND
LS2
GND
R
D1
R
D2
R
IS
1kΩ
图15
应用框图
注意：这是一个应用电路的一个非常简化的例子。该函数必须在实际应用中得到验证。
7.1
应用及布线注意事项
由于对高电流快速开关时间，特别注意有在PCB布局才能作出。迷路
电感具有在功率桥的设计将被最小化，因为它是必要的，所有切换高功率桥。
该BTM7742G对电源地和逻辑地没有独立的引脚。
因此，建议以确保
该电源地和设备的逻辑接地引脚之间的偏移最小化。它也是
必要的，以确保所有的VS管脚是在相同的电压电平。因此，在VS管脚需
短接在一起。
之间的VS管脚的电压差可能导致参数的偏差（如减少
电流限制和电流检测比例（基利斯） ）到该设备的使用上的IS销误差信号的锁存关断
类似的过热关断。
由于器件中的电流限制模式或过电压的快速切换行为锁定低ESR
电解电容
C
s
至少有100 VS μF至GND建议。这可以防止破坏性电压
峰和VS.滴此建议适用于PWM和非PWM控制的应用。的值
电容器必须在实际应用中得到验证。
除了陶瓷电容器
C
sc
从VS到GND接近每个设备建议提供的电流为
因此，通过一个低电感路径切换阶段，降低噪声和接地反弹。合理
值这个电容将大约470 nF的。
数据表
21
1.0版， 2010-05-28
