BSP16T1G
高电压晶体管
PNP硅
特点
这些设备是Pb - 免费，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
http://onsemi.com
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
器件总功耗@ T
A
= 25C
（注1 ）
存储温度范围
结温
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
价值
--300
--350
--6.0
--100
1.5
--65到
+150
150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
W
C
C
PNP硅
高压晶体管
表面贴装
集热2,4
BASE
1
辐射源3
热特性
特征
热阻，
路口 - 至 - 环境
符号
R
θJA
最大
83.3
单位
° C / W
TO -
-223
CASE 318E
风格1
记号
图
AYW
BT2G
G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.装置安装在玻璃环氧印刷电路板的1.575英寸× 1.575英寸×
0.059的;安装焊盘的集电极引线分钟。 0.93平方英寸
1
A
=大会地点
Y
=年
W
=工作周
BT2 =器件代码
G
=铅 - 免费套餐
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
BSP16T1G
包
TO--223
（铅 - 免费）
航运
1000 /磁带和放大器;卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年9月 - 启示录7
-
1
出版订单号：
BSP16T1/D
