的OptiMOS 功率MOSFET
BSC0902NS
电气特性
表6
参数
栅极电荷特性
1)
符号
分钟。
值
典型值。
4.4
2.7
4
5.6
13
2.6
26
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
V
nC
nC
-
-
-
-
-
-
-
单位
注意： /
测试条件
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
栅极电荷总量
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
V
DD
=15 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0 4.5 V
Q
g
V
高原
Q
g
V
DD
=15 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0至10V
V
DS
=0.1 V,
V
GS
= 0 4.5 V
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
栅极电荷总量，同步。 FET
输出充电
Q
G（同步）
Q
OSS
-
-
11
16
-
-
1 ）参见图16栅极电荷参数定义
表7
参数
反向二极管特性
符号
分钟。
I
s
I
S，脉冲
-
-
-
-
-
-
0.83
15
值
典型值。
马克斯。
44
175
1
-
V
nC
A
单位
注意： /
测试条件
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复电荷
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=30 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=I
s
,
d
I
F
/d
t
= 400 A / μs的
V
SD
Q
rr
最终数据手册
4
2.0, 2011-03-01
