的OptiMOS 功率MOSFET
BSC032NE2LS
电气特性图
表12
9漏源导通电阻
10典型。栅极阈值电压
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
=30 A;
V
GS
=10 V
表13
11典型。电容
V
GS （ TH）
= F （T
j
);
V
GS
=V
DS
;
I
D
=250 A
反向二极管的正向12特征
C = F（V
DS
);
V
GS
=0 V;
f=1
兆赫
I
F
= F（V
SD
） ;参数：
T
j
最终数据手册
7
2.0, 2011-03-01
