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的OptiMOS 功率MOSFET

BSC010NE2LS

电气特性图

表14

13雪崩特性

14典型。栅极电荷

I

AS

= F （T

AV

);

R

GS

=25

Ω;

参数：

T

J（下START）

表15

15漏源击穿电压

V

GS

= F （Q

门

);

I

D

= 30的脉冲;参数：

V

DD

16栅极电荷波形

V

BR （ DSS ）

= F （T

j

);

I

D

= 1毫安

最终数据手册

8

2.0, 2011-03-01

9

共12页

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