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的OptiMOS 功率MOSFET
BSB044N08NN3摹
电气特性
4
电气特性
电气特性，在
T
J = 25 ℃，除非另有规定。
表4
参数
静态特性
符号
分钟。
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
80
2
-
-
栅极 - 源极漏电流
栅极电阻
跨
-
2.8
0.1
10
10
3.7
0.5
72
值
典型值。
马克斯。
-
3.5
10
100
100
4.4
-
nA
mΩ
Ω
S
|V
DS
|>2|I
D | RDS （ ON）最大值
,
I
D
=30 A
A
V
单位
注/测试条件
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=97 A
V
DS
=80V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=80 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=30A
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G
g
fs
-
-
-
36
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
表5
参数
动态特性
符号
分钟。
值
典型值。
4300
1100
38
14
9
26
7
马克斯。
5700
1450
-
-
-
-
-
ns
pF
-
-
-
-
-
-
-
单位
注意： /
测试条件
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
=0 V,
V
DS
=40 V,
f
= 1兆赫
V
DD
=40V,
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A,
R
G
= 1.6
Ω
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
初步数据表
3
1.2, 2011-03-07
