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BS62LV256
DC电气特性（T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(6)
参数
电源
测试条件
分钟。
2.4
(2)
典型值。
(1)
--
马克斯。
5.5
单位
V
输入低电压
-0.5
--
0.8
(3)
V
输入高电压
2.2
--
V
CC
+0.3
1
V
输入漏电流
V
IN
= 0V至V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至V
CC
V
CC
=最大，我
OL
- 0.5毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -0.5mA
CE = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安中，f = F
最大
CE = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安， F = 1MHz的
CE = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安
CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
(4)
--
--
uA
输出漏电流
输出低电压
--
--
--
--
1
0.4
uA
V
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流 - TTL
2.4
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
--
--
--
--
--
--
--
0.01
0.4
--
25
40
1
2
1.0
2.0
0.7
5.0
V
--
--
--
--
--
--
--
--
mA
mA
mA
待机电流 - CMOS
O
uA
1.典型的特点是在T
A
= 25℃ ，而不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
O
5. I
CC （ MAX 。 ）
为20mA / 35毫安在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70 C.
O
6. I
CCSB1(MAX.)
为0.4uA / 4.0uA在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70 C.
数据保持特性（T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
符号
V
DR
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
O
测试条件
CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
见保留波形
分钟。
1.5
--
0
t
RC
(2)
典型值。
(1)
--
0.01
--
--
马克斯。
--
0.4
--
--
单位
V
uA
ns
ns
1.典型的特点是在V
CC
= 1.5V ，T
A
= 25℃ ，而不是100 ％测试。
2. t
RC
=读周期时间。
O
3. I
CCRD （最大）
为0.3uA在T
A
=70 C.
低V
CC
数据保存波形（ CE控制）
数据保持方式
V
CC
V
CC
V
DR
≧1.5V
V
CC
t
CDR
V
IH
CE = V
CC
- 0.2V
t
R
V
IH
CE
R0201-BS62LV256
3
调整
2.7
十月
2008
