BR24T□□□□Series
技术说明
-I / O
外围电路
○拉
达SDA终端电阻
SDA是NMOS开漏输出，因此需要上拉电阻。作为该电阻值（R
PU
） ，选择一个适当的值
从微控制器V这个电阻值
IL
, I
L
和V
OL
-I
OL
该IC的特性。若R
PU
大，动作频率为
有限的。较小的第r
PU
，较大的消耗电流在动作。
=最大
的R值
PU
R的最大值
PU
由以下因素决定的。
（ SDA
上升时间由R的总线线路的电容（ CBUS ）来确定
PU
和SDA应TR或以下。
和AC时间应满足即使SDA的上升时间不早了。
A
该
巴士电势
○
通过输入泄漏总量（我确定
L
）连接到总线为' H'的输出设备
SDA总线和R
PU
应充分保证了输入“H”电平（V
IH
），微控制器和EEPROM ，包括
推荐的噪声容限0.2Vcc 。
V
CC－
I
L
R
PU-
0.2 V
CC
≧
V
IH
0.8 V
CC
V
IH
R
PU
I
L
例） VCC = 3V IL = 10μA VIH = 0.7 VCC
from②
0 .8
3
0 .7
3
R
PU
10
10
6
300 [kΩ]
微控制器
BR24TXX
R
PU
A
I
L
I
L
公交线路
容量
CBUS
SDA
终奌站
图52的I / O电路原理图
○
的R的最小值
PU
R的最小值
PU
由以下因素决定的。
当IC输出低电平，应该纳V
OLmax
= 0.4V和我
OLmax
=3mA.
V
CC
V
OL
I
OL
R
PU
V
CC
V
OL
R
PU
I
OL
②V
OLmax
=应确保输入“L”电平（V
IL
），微控制器和EEPROM的
包括推荐的噪声容限0.1Vcc 。
V
OLmax
≦
V
IL-
0.1 V
CC
例）V
CC
=3V, V
OL
= 0.4V ，我
OL
= 3mA电流，微控制器， EEPROM V
IL
=0.3Vcc
3
0 .4
from②
R
PU
3
10
3
867[Ω]
和
V
OL
=0.4［V½
V
IL
=0.3×3
=0.9［V½
因此，条件
②
是满意的。
○拉
达SCL端子的电阻
当SCL控制是由在CMOS输出端口，没有必要的，但在万一有时序当SCL变
“高阻” ，添加一个上拉电阻。至于上拉电阻，几kΩ的1 几十kΩ的，建议在
考虑到单片机的输出端口的驱动器的性能。
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