BH □□ PB1WHFV系列
技术说明
- 输入
输出电容
建议将输入和GND引脚之间的旁路电容，其定位为靠近引脚
可能。这些电容将被用于当电源阻抗增加或长布线路径被使用时，使
一旦集成电路已被安装，他们会被检查。陶瓷电容一般有温度和直流偏置
的特点。在选择陶瓷电容，采用X5R或X7R或更好的模式，提供良好的温度和直流
偏压特性和高耐电压。
典型的陶瓷电容特性
120
100
100
120
50 V额定电压
变化的电容率（ ％ ）
变化的电容率（ ％ ）
50 V额定电压
变化的电容率（ ％ ）
95
100
80
60
40
20
0
-25
0
25
温度[ ℃ ]
50
75
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
90
16 V额定电压
85
Y5V
X7R
X5R
10V
额定电压
16 V额定电压
80
10 V
额定电压
75
70
直流偏置直流电压（V ）
0
1
直流偏置直流电压（V ）
2
3
4
图28电容VS偏见
图29电容VS偏见
图30电容与温度
（ X5R ， X7R ， Y5V ）
(Y5V)
（ X5R ， X7R ）
产量
电容器
输出之间安装输入电容器的输入引脚和GND之间（如靠近引脚越好） ，并且还输出电容器
引脚和GND （尽可能靠近引脚的位置）的建议。输入电容减小电压的输出阻抗
供应源连接到VCC 。价值较高的输出电容那张整个操作更稳定
变。这导致高的负载瞬态响应。请确认实际应用电路板的整个操作。
通常，陶瓷电容器具有大范围的公差，温度系数，以及直流叠加特性的。而且它的价值去
下随着时间的推移。请通过询问电容器制造商获得更详细的数据后，选择陶瓷电容。
BH□□PB1WHFV
100
10
ESR（ Ω ）
1
稳定区
C
OUT
= 0.47 F
TA = + 25°C
0.1
0.01
0
50
100
150
输出电流
Ｉ½ （mA)
图31稳定运行范围（例）
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2011.01 - Rev.B的
