恩智浦半导体
BGU7003
宽带硅锗低噪声放大器MMIC儿
30
|s
21
|
2
（ dB）的
20
001aaj655
0
|s
12
|
2
（ dB）的
20
001aaj657
10
40
0
0
2000
4000
F（兆赫）
6000
60
0
2000
4000
F（兆赫）
6000
T
AMB
= 25
°C;
I
CC （ TOT ）
= 5.0毫安; V
CC
= 2.5 V;
P
DRIVE
=
30
dBm的;
0
= 50
.
T
AMB
= 25
°C;
I
CC （ TOT ）
= 5.0毫安; V
CC
= 2.5 V;
P
DRIVE
=
30
dBm的;
0
= 50
.
图4 。
插入功率增益（ | S
21
|
2
）作为的函数的
频率;典型值
图5 。
隔离（ | S
12
|
2
）作为频率的函数;
典型值
1
001aaj659
2.0
NF
民
（ dB）的
001aaj660
K
1.5
1.0
0.5
10
1
0
2000
4000
F（兆赫）
6000
0
0
2000
4000
F（兆赫）
6000
T
AMB
= 25
°C;
I
CC （ TOT ）
= 5.0毫安; V
CC
= 2.5 V;
P
DRIVE
=
30
dBm的;
0
= 50
.
T
AMB
= 25
°C;
I
CC （ TOT ）
= 5.0毫安; V
CC
= 2.5 V;
P
DRIVE
=
30
dBm的;
0
= 50
.
图6 。
罗列特的稳定因子的函数
频率;典型值
图7 。
最小噪声科幻gure作为一个功能
频率;典型值
BGU7003_1
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产品数据表
版本01 - 2009年3月2日
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