INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BDX64
BDX64A
I
C
= -100mA ，我
B
=0
BDX64B
BDX64C
V
CE （ SAT ）
V
BE （
on
)
V
ECF
I
首席执行官
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
C- ê二极管正向电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
BDX64
BDX64A
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
BDX64B
BDX64C
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
OB
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
V
CB
= -60V ;我
E
= 0;T
J
= 200℃
V
CB
= -70V ;我
E
= 0;T
J
= 200℃
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
= -3V
I
C
= -5A ; V
CE
= -3V
I
C
= -12A ; V
CE
= -3V
I
E
= 0 ; V
CB
= -10V ; F
TEST
= 1MHz的
I
C
= -5A ;我
B
= -20mA
B
BDX64/A/B/C
条件
民
-60
-80
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
-100
-120
-2
-2.5
-1.8
-0.2
-0.4
V
V
V
mA
mA
I
C
= -5A ; V
CE
= -3V
I
F
= -5A
V
CE
=
1
/
2
V
CEOMAX
; I
B
= 0
V
CB
= V
CBOMAX
;I
E
= 0
V
CB
= -40V ;我
E
= 0;T
J
= 200℃
V
CB
= -50V ;我
E
= 0;T
J
= 200℃
-3
mA
-5
1500
1000
750
200
mA
pF
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
I
C
= -5A ;我
B1
= -I
B2
= -20mA
打开-O FF时间
2.5
μs
1
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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