INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BDW64
BDW64A
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
BDW64B
BDW64C
BDW64D
V
CE(sat)-1
V
CE(sat)-2
V
BE （
on
)
V
ECF
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
C- ê二极管正向电压
BDW64
BDW64A
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
BDW64B
BDW64C
BDW64D
BDW64
BDW64A
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
BDW64B
BDW64C
BDW64D
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
I
C
= -2A ;我
B
= -12mA
B
BDW64/A/B/C/D
条件
民
-45
-60
典型值。
最大
单位
I
C
= -30mA ;我
B
= 0
-80
-100
-120
-2.5
-4.0
-2.5
-3.5
V
V
V
V
V
I
C
= -6A ;我
B
= -60mA
B
I
C
= -2A ; V
CE
= -3V
I
F
= -6A
V
CE
= -30V ;我
B
= 0
B
V
CE
= -30V ;我
B
= 0
B
V
CE
= -40V ;我
B
= 0
B
-0.5
mA
V
CE
= -50V ;我
B
= 0
B
V
CE
= -60V ;我
B
= 0
B
V
CB
= -45V ;我
E
= 0
V
CB
= -45V ;我
E
= 0; T
J
= 150℃
V
CB
= -60V ;我
E
= 0
V
CB
= -60V ;我
E
= 0; T
J
= 150℃
V
CB
= -80V ;我
E
= 0
V
CB
= -80V ;我
E
= 0; T
J
= 150℃
V
CB
= -100V ;我
E
= 0
V
CB
= -100V ;我
E
= 0; T
J
= 150℃
V
CB
= -120V ;我
E
= 0
V
CB
= -120V ;我
E
= 0; T
J
= 150℃
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
I
C
= -2A ; V
CE
= -3V
I
C
= -6A ; V
CE
= -3V
750
100
-0.2
-5.0
-0.2
-5.0
-0.2
-5.0
-0.2
-5.0
-0.2
-5.0
-2.0
20000
mA
mA
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
I
C
= -3A ;我
B1
= -I
B2
= -12mA ;
V
BE （OFF）的
= -4.5V ，R
L
=10Ω
1.0
5.0
μs
μs
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