INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BDW52
BDW52A
I
C
= -100mA ;我
B
= 0
BDW52B
BDW52C
V
CE(sat)-1
V
CE(sat)-2
V
BE （ SAT ）
V
BE （
on
)
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
BDW52
BDW52A
BDW52B
BDW52C
BDW52
BDW52A
BDW52B
BDW52C
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
I
C
= -5A ;我
B
= -0.5A
B
BDW52/A/B/C
条件
民
-45
-60
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
-80
-100
-1.0
-3.0
-2.5
-1.5
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
V
V
V
V
I
C
= -10A ;我
B
= -2.5A
I
C
= -10A ;我
B
=- 2.5A
I
C
= -5A ; V
CE
= -4V
V
CB
= -45V ;我
E
= 0
V
CB
= -45V ;我
E
= 0; T
C
= 150℃
V
CB
= -60V ;我
E
= 0
V
CB
= -60V ;我
E
= 0; T
C
= 150℃
V
CB
= -80V ;我
E
= 0
V
CB
= -80V ;我
E
= 0; T
C
= 150℃
V
CB
= -100V ;我
E
= 0
V
CB
= -100V ;我
E
= 0; T
C
= 150℃
V
CE
= -22V ;我
B
= 0
B
I
CBO
集热器
截止目前
mA
I
首席执行官
集热器
截止目前
V
CE
= -30V ;我
B
= 0
B
-1.0
V
CE
= -40V ;我
B
= 0
B
mA
V
CE
= -50V ;我
B
= 0
B
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -5A ; V
CE
= -4V
I
C
= -10A ; V
CE
= -4V
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -4V
20
5
3
-2.0
150
mA
兆赫
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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