INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BDV64
BDV64A
I
C
= -30mA ;我
B
= 0
BDV64B
BDV64C
V
CE（
SAT
)
V
BE （
on
)
I
首席执行官
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
收藏家Cuto FF电流
BDV64
BDV64A
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
BDV64B
BDV64C
I
CBO
I
EBO
h
FE
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
V
CB
= -60V ;我
E
= 0;T
J
= 150℃
V
CB
= -70V ;我
E
= 0;T
J
= 150℃
V
CB
= V
CBOMAX
; I
E
= 0
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
I
C
= -5A ; V
CE
= -4V
I
C
= -5A ;我
B
= -20mA
B
BDV64/A/B/C
条件
民
-60
-80
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
V
-100
-120
-2.0
-2.5
-2.0
V
V
mA
I
C
= -5A ; V
CE
= -4V
V
CE
=
1
/
2
V
CEOMAX
; I
B
= 0
V
CB
= -40V ;我
E
= 0;T
J
= 150℃
V
CB
= -50V ;我
E
= 0;T
J
= 150℃
-2.0
mA
-0.4
-5
1000
mA
mA
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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