新产品
SiA444DJT
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100
0.05
I
D
= 7.4 A
0.04
10
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150
°C
T
J
= 25
°C
0.03
T
J
= 150
°C
0.02
T
J
= 25
°C
1
0.01
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.00
0
2
4
6
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
1.9
1.8
1.7
1.6
30
25
20
功率（W）的
I
D
= 250 μA
- 25
0
25
50
75
100
T
J
- 温度（℃ ）
125
150
V
GS （ TH）
(V)
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
- 50
15
10
5
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
1000
阈值电压
100
限于由R
DS （ ON）
*
单脉冲功率（结到环境）
10
I
D
- 漏电流（ A）
100 μs
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
BVDSS有限公司
1 s, 10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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4
文档编号： 67056
S11-1655 -REV 。 C， 15 - 8 - 11
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