新产品
SiA444DJT
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
40
10
32
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 10 V直通4 V
I
D
- 漏电流（ A）
8
24
V
GS
= 3 V
16
6
T
C
= 25
°C
4
8
V
GS
= 2 V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
2
T
C
= 125
°C
0
0
0.0
0.5
T
C
= - 55
°C
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
输出特性
0.030
800
传输特性
0.024
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
600
0.018
- 电容（pF ）
C
国际空间站
V
GS
= 4.5 V
400
0.012
V
GS
= 10 V
200
0.006
C
RSS
0.000
0
8
16
24
I
D
- 漏电流（ A）
32
40
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
30
C
OSS
导通电阻与漏电流和栅极电压
电容
10
R
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
1.8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
I
D
= 11 A
8
V
DS
= 15 V
V
DS
= 7.5 V
6
V
DS
= 24 V
4
1.6
I
D
= 7.4 A
V
GS
= 10 V
1.4
V
GS
= 4.5 V
1.2
1.0
2
0.8
0
0
2
4
6
8
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
10
12
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 67056
S11-1655 -REV 。 C， 15 - 8 - 11
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