新产品

SiA910EDJ

Vishay Siliconix公司

双N通道12 -V （D -S ）的MOSFET

产品概述

V

DS

(V)

R

DS （ ON）

(Ω)

0.028在V

GS

= 4.5 V

12

0.033在V

GS

= 2.5 V

0.042在VGS = 1.8 V

I

D

(A)

a

4.5

4.5

4.5

6.2 NC

Q

g

（典型值）。

特点

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

TrenchFET

功率MOSFET

新的耐热增强型PowerPAK

SC- 70封装

- 小占位面积

- 低导通电阻

典型ESD保护： 2400 V

100 % R

g

经过测试

符合RoHS指令2002/95 / EC

应用

的PowerPAK SC- 70-6双

负载开关，用于便携式应用

高频率的DC- DC转换器

DC / DC转换器

D

1

1

S

1

2

G

1

D

1

D

1

6

G

2

5

2.05 mm

4

S

2

D

2

2.05 mm

零件编号代码

3

D

2

D

2

标识代码

CFX

XXX

很多可追溯性

和日期代码

G

1

G

2

S

1

S

2

N沟道MOSFET

订货信息：

SiA910EDJ -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

T

A

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

J

= 150 °C)

漏电流脉冲

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

T

C

= 25 °C

T

C

= 70 °C

最大功率耗散

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

D，E

连续源极 - 漏极二极管电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 70 °C

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

极限

12

±8

4.5

a

4.5

a

4.5

A， B，C

4.5

A， B，C

20

4.5

a

1.6

B，C

7.8

5

1.9

B，C

1.2

B，C

- 55 150

260

单位

V

A

P

D

T

J

, T

英镑

W

°C

热电阻额定值

参数

B，F

最大结点到环境

° C / W

最大结至外壳（漏）

注意事项：

一。包装有限公司

B 。表面安装1" X 1" FR4板。

。 T = 5秒。

。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。采用PowerPAK SC- 70是一种无引线封装。引线端子的端部露出

铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证

并且不要求以确保足够的底侧的焊料互连。

。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。

F。在稳态条件下最大为110 ° C / W 。

文档编号： 65535

S09-2267 -REV 。 A， 02 -NOV- 09

www.vishay.com

1

t

≤

5s

稳定状态

符号

R

thJA

R

thJC

典型

52

12.5

最大

65

16

单位