SiHF30N60E
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Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
65
3.4
单位
° C / W
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压（N ）
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
a
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
门输入电阻
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
二极管的正向电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复电流
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
T
J
= 25 ° C，I
F
= I
S
= 15 A,
的di / dt = 100 A / μs的，V
R
= 20 V
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
g
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A
V
DS
= 8 V，I
D
= 3 A
600
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.64
-
-
-
-
0.104
5.4
2600
138
3
85
15
39
19
32
63
36
0.63
-
-
4.0
± 100
1
100
0.125
-
-
-
-
130
-
-
40
65
95
75
-
V
V /°C的
V
nA
μA
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 100 V,
F = 1.0 MHz的
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A，V
DS
= 480 V
nC
V
DD
= 380 V，I
D
= 15 A,
V
GS
= 10 V ，R
g
= 4.7
F = 1MHz时，漏极开路
ns
-
-
-
-
-
-
-
-
-
402
7
32
29
A
65
1.3
605
15
65
V
ns
μC
A
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 15 A，V
GS
= 0 V
这里显示的信息是初步的产品方案，而不是一个商业产品数据表。日前，Vishay Siliconix公司不承诺产生这样或任何类似的
产品。本信息不能被用于设计用途，也没有解释为要约提供或出售此类产品。
S11-2091版本C ， 31 - OCT- 11
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文档编号： 91454
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