IRFZ48R ， SiHFZ48R
Vishay Siliconix公司
R
D
V
DS
80
V
GS
D.U.T.
+
-
V
DD
不限按包
R
G
I
D
，漏电流（ A）
60
10 V
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
40
图。 10A - 开关时间测试电路
20
V
DS
90 %
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.01
0.1
1
10
P
DM
t
1
t
2
0.01
0.00001
0.0001
0.001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
文档编号： 91295
S11-0518 -REV 。 B， 21 -MAR- 11
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5
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