新产品
SiR428DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
60
V
GS
= 10
V
直通4
V
48
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
8
10
36
6
T
C
= 125 °C
4
T
C
= 25 °C
2
T
C
= -- 55 °C
24
V
GS
= 3
V
12
0
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.010
1500
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
0.009
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5
V
0.008
1200
C
国际空间站
900
0.007
V
GS
= 10
V
600
C
OSS
300
C
RSS
0.006
0.005
0
12
24
36
48
60
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 10 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
8
V
DS
= 10
V
6
V
DS
= 15
V
4
V
DS
= 20
V
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.5
1.7
I
D
= 10 A
电容
V
GS
= 4.5
V
V
GS
= 10
V
1.3
1.1
2
0.9
0
0.0
4.4
8.8
13.2
17.6
22.0
0.7
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 64987
S09-1093 -REV 。 A， 15军09
www.vishay.com
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