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新产品
SiR800DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
80
V
GS
= 10 V直通2 V
10
64
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
8
48
6
T
C
= 25 °C
32
4
16
2
T
C
= 125 °C
T
C
= - 55 °C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.0034
6800
传输特性
C
国际空间站
0.0030
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
V
GS
= 2.5 V
5440
0.0026
4080
0.0022
V
GS
= 4.5 V
2720
C
OSS
0.0018
V
GS
= 10 V
1360
C
RSS
0.0014
0
16
32
48
64
80
I
D
- 漏电流（ A）
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 15 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
电容
1.6
I
D
= 15 A
1.4
V
GS
= 10 V
6
V
DS
= 5 V
V
DS
= 10 V
4
V
DS
= 15 V
2
1.2
V
GS
= 2.5 V
1.0
0.8
0
0
19
38
57
76
95
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 65738
S10-0637 -REV 。 A， 22 -MAR- 10
www.vishay.com
3
