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SiS456DN
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
V
GS
= 10 V直通4 V
80
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
20
16
60
12
T
C
= - 55 °C
8
T
C
= 25 °C
4
T
C
= 125 °C
40
V
GS
= 3 V
20
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.008
2400
传输特性
0.007
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
2000
C
国际空间站
0.006
V
GS
= 4.5 V
0.005
V
GS
= 10 V
0.004
1600
1200
800
C
OSS
0.003
400
C
RSS
0.002
0
20
40
60
80
100
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
I
D
= 20 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
电容
1.6
I
D
= 20 A
1.4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
8
V
DS
= 15 V
6
V
DS
= 7.5 V
4
V
DS
= 24 V
2
V
GS
= 10 V; 4.5 V
（归一化）
1.2
1.0
0.8
0
0
8
16
24
32
40
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 64739
S10-1285 -REV 。 A， 5月31日 - 10
www.vishay.com
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