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AN822
Vishay Siliconix公司
表1 ： EQIVALENT稳态性能
包
CON组fi guration
热Resiatance
thJC
（ C / W ）
20
SO-8
单身
双
40
TSSOP-8
单身
52
双
83
TSOP-8
单身
40
双
90
PPAK 1212
单身
2.4
双
5.5
PPAK SO- 8
单身
1.8
双
5.5
的PowerPAK 1212
49.8 °C
标准的SO- 8
85
°C
标准的TSSOP - 8
149 °C
TSOP-6
125 °C
2.4 C / W
PC板在45℃
20 C / W
52 ° C / W
40 C / W
图4中。
器件在PCB温度
热性能
介绍
对设备的热性能的一个基本措施是
结到外壳的热阻， RθJC ，或
结的─足耐热性， Rθjf 。此参数
被测量为安装到一个无限的热量的装置
下沉，因此该设备的特性
唯一的，换句话说，独立的属性
对象，其中所述装置被安装。表1示出了
采用PowerPAK 1212-8的比较，采用PowerPAK SO- 8 ，
标准的TSSOP - 8和SO - 8相当于稳态
性能。
通过最小化结点到足耐热性，在
MOSFET的管芯温度非常接近的温度
TURE PC板。考虑四台设备安装在
PC板为45 ℃（图4）电路板温度。
假设每台设备正在消退2 W.使用junc-
的灰到脚的热阻特性
的PowerPAK 1212-8和其他SMT封装，模具
温度被确定为49.8 ℃，为Pow-
erPAK 1212-8 ， 85℃的标准SO-8 ， 149 ℃下进行
标准的TSSOP -8，和125 ℃下进行的TSOP -6。这是一个
4.8 ℃，上升高于主板温度上电
PAK 1212-8 ，并在40 ℃下进行其他SMT封装。一
4.8 ℃，上升了R上的影响最小
DS （ ON）
而上升
超过40 ℃，会导致增加在r中
DS （ ON）
作为高
为20％。
铜传播
设计师添加更多的铜，铜扩散到
漏极焊盘以有助于从设备传导的热量。它
是有帮助的关于热的一些信息
表现为扩频铜的给定区域。
图5和图6示出了一个热阻
的PowerPAK 1212-8单路和双路设备安装
一个2英寸×2英寸， 4层的FR-4印刷电路板。两间
纳尔层和背面层是实心铜。该
内部层经选择为实心铜来模拟
常见于许多应用大型电源和地平面
阳离子。顶层被削减到一个较小的区域，并
在每个步骤结到环境的热阻
测量是。结果表明，在
区域上方0.2至0.3平方英寸的扩频铜
没有给出额外的热性能改善。
随后的实验运行时所在的铜
背面侧降低，第一 50％，在条纹
模拟电路走线，然后彻底删除。无显
观察着性的影响。
文档编号71681
03-Mar-06
www.vishay.com
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