SiS892DN

Vishay Siliconix公司

N沟道100 V（ D- S）的MOSFET

产品概述

V

DS

(V)

100

R

DS （ ON）

()

0.029在V

GS

= 10 V

0.042在V

GS

= 4.5 V

I

D

(A)

f

30

g

25

Q

g

（典型值）。

6.7 NC

特点

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

TrenchFET

功率MOSFET

100 % R

g

经过测试

100 ％ UIS测试

符合RoHS指令2002/95 / EC

的PowerPAK 1212-8

应用

3.30 mm

S

1

2

3

4

D

8

7

6

5

D

D

D

S

S

G

3.30 mm

DC / DC初级侧开关

电信/服务器48 V

DC / DC转换器

G

D

底部

意见

订货信息：

SiS892DN -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）

S

N沟道

MOSFET

绝对最大额定值

(T

A

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

T

C

= 25 °C

连续漏电流（T

J

= 150 °C)

T

C

= 70 °C

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

漏电流脉冲

连续源极 - 漏极二极管电流

单脉冲雪崩电流

单脉冲雪崩能量

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

L = 0.1 mH的

T

C

= 25 °C

最大功率耗散

T

C

= 70 °C

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值

温度）

C，D

T

J

, T

英镑

P

D

I

DM

I

S

I

AS

E

AS

I

D

符号

V

DS

V

GS

极限

100

± 20

30

g

27

8.0

A，B

7.3

A，B

50

30

g

3.1

A，B

10

5

52

43

3.7

A，B

3.1

A，B

- 55 150

260

°C

W

mJ

A

单位

V

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

A，E

最大结至外壳（漏）

t

10 s

稳定状态

符号

R

thJA

R

thJC

典型

26

1.9

最大

33

2.4

单位

° C / W

注意事项：

一。表面安装在1" X 1" FR4板。

B 。 T = 10秒。

。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。采用PowerPAK 1212-8是一种无引线封装。引线端子的端部露出

铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，

并不需要保证足够的底侧的焊料互连。

。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。

。在稳态条件下最大为81 ° C / W 。

F。基于T

C

= 25 °C.

克。包装有限。

文档编号： 66590

S10-2682 -REV 。 B， 22 - NOV- 10

www.vishay.com

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