位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第235页 > BD8621EFV-E2 > BD8621EFV-E2 PDF资料 > BD8621EFV-E2 PDF资料1第10页
BD8621EFV
技术说明
欠压锁定保护（ UVLO ）
至于BD8621EFV ，电源电压下降检测保护电路是内置的。
它低于UVLO电压（ 2.5V典型值）输入电压降低，设备状态切换到待机模式（此外，
为了防止为100mV （典型值输出）滞后宽度的抖动）已被安装在UVLO取消电压。
RT终端开路/短路保护功能（ RTO / RTS ）
RT终端开/短路保护功能，防止异常振荡时钟。
如果RT端子开路/短路保护功能进行检测，输出电压变化为低电平并且被固定。
终端RT开/短路保护功能，可如果国家继续500usec ，异常检测工作
当状态持续约500μsec （典型值） 。
软启动超时功能
如果VSS不超过内64msec （典型值） VSSTH因为软启动开始， BD8621EFV控制的关锁存器。
沃被固定在一个低的水平。
图5软启动超时
热关机功能
热关闭电路（TSD电路）被内置到BD8621EFV 。当芯片的温度超过TJMAX = 175 ，则
直流/直流转换器被固定在一个低电压。
TSD功能是针对异常状态下关闭IC的热鲁莽驾驶超过TJMAX = 175 。
它的目的是既没有保护，也没有一套的保证。因此，请不要使用此功能来保护设定。
过电流保护功能
过电流保护功能已被限制于高侧MOSFET中流动的电流来实现的。
的电流被控制在开关频率的每一个周期。当一个异常状态持续约
500μsec （典型值） ，输出固定在低电平。
www.rohm.com
2009 ROHM有限公司保留所有权利。
10/14
2009.05 - Rev.A的
