MX29LV160T / B & MX29LV160AT / AB
版本号说明
页面
日期
2.4
改变tBUSY规范。从为90ns至90us
P24
MAR/07/2001
2.5
正确的打字错误
P23,2
JUL/03/2001
tWPP1 / tWPP2变更为100ns
P40
要修改包装信息
P52~54
2.6
对于扇区擦除90us ：分开tBUSY规格： tBUSY
P24
JUL/05/2001
tBUSY ：为90ns芯片擦除; tBUSY ：为90ns方案
2.7
正确的打字错误
P24
JUL/10/2001
2.8
添加MX29LV161T / B部件号
所有
JUL/24/2001
MX29LV160T / B tBUSY =为90ns ，在扇区擦除模式
P24
MX29LV161T / B tBUSY = 90us ，在扇区擦除模式
P24
2.9
1.Separate数据表分为两个文件： MX29LV160T / B & MX29LV161T / B全
SEP/24/2001
2.tBUSY规格从最小为90ns改变。要为90ns最大。
P24
3.添加tWPP1 / tWPP2典型规格
P24
4.增加字/字节交换规范和波形
P47,48
5.Add 90R速度等级
P21,24,51
48球CSP引脚配置6，表达的改变
P2
"Top来看，球面对up"到"Top来看，球面对down"
（物理引脚输出没有变化，只是不同的表情。 ）
7.Correct错误输入
- 字节/字方案： 7us / 12us - >9us / 11us
P1,24
- 界字模式16K字/ 8K字/ 32K字/ 64K字P4的尺寸
--- >8K字/ 4K字/ 16K字/ 32K字
- 扩展设备的TA被删除
P19
- ICC4条件： RESET VCC = ±0.3V --> RESET = VSS ± 0.3V
P20
- TA = 0 ° C至70 ° -->TA = -40 °至85°C
C
C
P20,21,24
- 添加A19 A12为图
P35,41
3.0
扇区擦除命令的措辞变化
P11,13,27,30 OCT /二千零一分之一十七
P32
（ MX29LV160T / B & MX29LV160AT / AB ）
3.1
1. Combinded MX29LV160AT / AB & MX29LV160T / B数据表是
所有
JAN/11/2001
一起
2.系统必须写"Reset"命令退出"silicon -ID读
P12-14,19
mode" & "sector保护verification"模式
3.2
1.增加10ms的延时擦除暂停/恢复
P15,36
MAR/01/2002
3.3
1.正确的打字错误
P1,2,7,10,11 MAR / 08 /2002
13,14,16,17,51
3.4
1.修改内容错误
所有
OCT/01/2002
2.更新规格：
P1,21,48
VLKO值： 2.3V / 2.5V - >1.4V / 2.1V ;
分钟。 TRH / TRB的：为50ns /为0ns - >70ns / 70ns的
的"A"版本3.删除44SOP包信息
P2, 55
4.删除-R级信息
P21,23,26,27,49,55-56
5.更新电容
P22
6.补充说明在切换测试电路
P22
CL = 100pF的对MX29LV160 （A ）T / B - 90
CL = 30pF的用于MX29LV160 （A ）T / B - 70
7.加入AC特性表中的tVLHT & tOESP时机
P26
8.重新定义的擦除和编程性能：最高值
P54
从25 ° 2.7V measued至85° C， 2.7V ， 10万次
C,
3.5
1.要修改包装信息
P57~61
NOV/21/2002
P / N ： PM0866
REV 。 3.7 ，四月23 ， 2003
64
