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结构
TYPE
产品系列
特点
硅单片集成电路
单通道系列稳压器驱动IC
BD3520FVM
表示ON
浪涌电流在启动时（ NRCS ）
N
沟道MOSFET驱动器
产量
电压： 1.2V
（±1%）
○
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
漏极电压（ VIN ）
使能输入电压
功耗
工作温度范围
存储温度范围
最高结温
符号
VCC
VD
VEN
Pd
TOPR
TSTG
TJMAX
极限
7
*1
7
7
437.5
*2
-10½+100
-55½+150
+150
单位
V
V
V
mW
℃
℃
℃
* 1使用温度范围应不超过牛逼
JMAX
=150℃
* 2 PD降级为3.5MW / ℃的温度Ta = 25 ℃以上
○
推荐工作条件（ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
漏极电压（ VIN ）
使能输入电压
电容对自然资源保护终端
符号
VCC
VD
VEN
CNRCS
民
4.5
1.2
-0.3
0.001
最大
5.5
5.5
5.5
1
单位
V
V
V
uF
★
本产品并非设计用于防止放射性射线。
REV 。一
