BCV62
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
符号
值
参数
分钟。
DC特性
基极 - 发射极正向电压的
I
E
= 10 A
I
E
= 250毫安
晶体管T1和T2晶体管的匹配
at
I
E2
= 0.5毫安和
V
CE1
= 5V
T
A
= 25 °C
T
A
= 150 °C
晶体管T1的热耦合和
晶体管T2
1)
T1:
V
CE
= 5V
的热稳定性的最大电流
I
C1
晶体管T1的交流特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
I
C
= 200 A,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
,
f
= 1千赫，
F = 200赫兹
短路输入阻抗
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
开路反向电压transf.ratio
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
短路正向电流transf.ratio
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
开路输出导纳
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
1 ） Witout发射极电阻。设备安装在氧化铝仅为15mm× 16.5毫米X 0.7毫米
单位
马克斯。
V
典型值。
V
BES
0.4
-
I
C1
/
I
C2
-
0.7
0.7
I
E2
-
-
-
-
5
-
1.3
1.3
-
-
-
-
1.8
-
mA
f
T
C
cb
C
eb
F
-
-
-
-
250
1.5
8
2
-
-
-
-
兆赫
pF
dB
h
11e
h
12e
h
21e
h
22e
-
-
100
-
4.5
2
-
30
-
-
900
-
k
10
-4
-
S
3
2007-04-20
