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SM8S10通SM8S43A

威世通用半导体

100

100 000

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

10

R

θJA

1

R

θJC

C

J

- 结电容（pF ）

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50毫伏

p-p

10 000

测得零偏置

0.1

在测

对峙

电压V

WM

1000

10

15

20

25

30

35

40

45

0.01

0.01

0.1

1

10

100

吨 - 脉冲宽度（S ）

V

WM

- 反向

对峙

电压（V）的

图。 5 -

典型的瞬态热阻抗

图。 6 -

典型结电容

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

DO-218AB

0.628 (16.0)

0.592 (15.0)

0.539 (13.7)

0.524 (13.3)

0.116 (3.0)

0.093 (2.4)

0.413 (10.5) 0.342 (8.7)

0.374 (9.5) 0.327 (8.3)

贴装焊盘布局

0.150 (3.8)

0.126 (3.2)

0.091 (2.3)

0.067 (1.7)

0.413 (10.5)

0.374 (9.5)

0.116 (3.0)

0.093 (2.4)

0.366 (9.3)

0.343 (8.7)

0.406 (10.3)

0.382 (9.7)

0.197 (5.0)

0.185 (4.7)

0.016 （ 0.4 ）最小。

LEAD 2 /金属散热片

LEAD 1

0.366 (9.3)

0.343 (8.7)

0.606 (15.4)

0.583 (14.8)

0.138 (3.5)

0.098 (2.5)

0.028 (0.7)

0.020 (0.5)

0.098 (2.5)

0.059 (1.5)

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208

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文档编号： 88387

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修订： 20 -APR- 11

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