BC856W ... BC859W
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
基射极饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
2
)
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
基极发射极电压 - 基射极Spannung
2
)
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
- V
CB
= 30 V ， （E打开）
- V
CE
= 30 V ，T
j
= 125°C ， （E打开）
发射基截止电流
- V
EB
= 5 V ， （C打开）
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
- V
CB
= 10 V，I
E
=i
e
= 0中，f = 1 MHz的
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
- V
EB
= 0.5 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200 μA ，R
G
= 2 kΩ
F = 1千赫， ΔF = 200赫兹
BC856W ... BC858W
BC859W
F
F
R
THA
–
–
–
1分贝
< 620 K / W
1
)
BC846W ... BC849W
BC856AW = 3A
BC857AW = 3E
BC858AW = 3J
BC856BW = 3B
BC857BW = 3F
BC858BW = 3K
BC859BW = 4B
BC857CW = 3G
BC858CW = 3L
BC859CW = 4C
10分贝
4分贝
C
EBO
–
10 pF的
15 pF的
C
CBO
–
–
4.5 pF的
f
T
100兆赫
–
–
- I
EBO
–
–
100 nA的
- I
CBO
- I
CBO
–
–
–
–
15 nA的
5 A
- V
BE
- V
BE
600毫伏
–
650毫伏
–
750毫伏
820毫伏
- V
BESAT
- V
BESAT
–
–
700毫伏
850毫伏
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbare Stromverstrkungs-
GRUPPEN亲典型值
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis ≤ 2％
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
