BC847BLP4
300
100
I
B
- 0.5毫安
P
D
，功耗（毫瓦）
I
C
，集电极电流（毫安）
250
80
I
B
= 0.4毫安
200
I
B
= 0.3毫安
60
I
B
= 0.2毫安
150
40
I
B
= 0.1毫安
100
50
R
θJA
= 500
°
C / W
20
0
0
0
25
50
75
100
125
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1功率降额曲线
150
0
1
2
3
4
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图。 2典型的集电极电流
与集电极 - 发射极电压
5
600
0.3
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
I
C
/I
B
= 20
h
FE
，直流电流增益
400
0.2
T
A
= 150C
200
0.1
T
A
= 85C
T
A
= 25C
T
A
= -55C
0
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 3
典型的直流电流增益
与集电极电流
1,000
0
0.1
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 4
典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
V
BE（上）
，基极发射极导通电压（V ）
1.0
1.0
0.8
V
BE （ SAT ）
，基极 - 发射
饱和电压（ V）
0.8
T
A
= -55°C
0.6
0.6
T
A
= 25°C
0.4
0.4
T
A
= 85°C
T
A
= 150°C
0.2
0.2
I
C
/I
B
= 20
0
0.1
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。五
典型的基射极导通电压
与集电极电流
0
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图。 6典型的基射极饱和电压
与集电极电流
BC847BLP4
文件编号： DS31297牧师6 - 2
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2011年2月
Diodes公司
