BB301C
内置偏置电路MOS FET IC
甚高频射频放大器
REJ03G0823-0300
（上ADE- 208-507A ）
Rev.3.00
Aug.10.2005
特点
内置偏置电路;为了减少使用零件成本& PC板空间。
低噪音的特点;
（ NF = 1.3 dB典型值，在f = 200兆赫）
承受静电放电;
内置ESD吸收二极管。承受高达200V的C = 200pF的，卢比= 0的条件。
提供迷你模具包; CMPAK - 4 （ SOT- 343mod ）
概要
瑞萨封装代码： PTSP0004ZA -A
（包名称： CMPAK - 4 ）
2
3
1
4
1.源
2. GATE1
3. GATE2
4.漏
注意事项：
1.标记为“ AW- ” 。
2. BB301C是RENESAS BBFET个别型号。
Rev.3.00 2005年8月10日第1页7
