BA□□DD0T
系列
,BA□□CC0T
系列
,BA□□CC0FP
系列
BA□□DD0WT
系列
,BA□□DD0HFP
系列
,BA□□CC0WT
系列
,BA□□CC0WFP
系列
热
设计
HRP-5
10
9
8
功率耗散钯（ W）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
环境温度： TA（
℃）
125
150
①2.3W
②5.5W
技术说明
TO220FP-5
3
板尺寸： 70 × 70 × 1.6
㎜
（电路板包含一个散热孔）
2
前面板上铜箔面积： 10.5 × 10.5
㎜
2
①2-layer
板（背面铜箔面积： 15 ×15
㎜
)
2
②2-layer
板（背面铜箔面积： 70 × 70
㎜
)
2
③4-layer
板（背面铜箔面积： 70 × 70
㎜
)
25
当使用最大热生病：
θj-c=6.25(℃/W)
当单独使用IC ：
θj-6=62.5(℃/W)
2.0
TO252-5
安装在罗门哈斯标准板
板尺寸： 70 × 70 × 1.6
㎜
铜箔面积： 7 × 7
㎜
TO252-5θja=96.2(℃/W)
1.30
20
功率耗散钯（ W）
(1)20.0
1.6
③7.3W
功率耗散钯（ W）
15
1.2
10
0.8
5
(2)2.0
0.4
0
0
25
50
75
100
环境温度： TA（ ℃ ）
125
150
0.0
0
25
50
75
100
125
环境温度： TA（
℃）
150
Fig.29
Fig.30
Fig.31
当使用在温度以上的Ta = 25℃ ，请参阅热还原特性通过31.如图29所示
集成电路的特性密切相关的温度下，集成电路被使用并且如果温度超过最大
结温Tj
最大
。 ，元件可能被损坏或破坏。从瞬间毁灭的观点
和长期运行的可靠性，有必要充分考虑到IC散热。为了保护IC免受
热损伤，有必要在温度超过最大结温Tj下操作它
最大
IC的。
图30示出了TO220FP包被示出的部分的可接受的损耗和热还原特征
对角线是能够与IC单独使用的可接受损失范围。甚至当环境温度Ta是一个
常温（ 25 ℃ ） ，芯片（结）温Tj可能会相当高，所以请操作IC温度
比上可接受的损失钯以下。
算出消耗功率邮编（W）的方法如下所述。
PC = （VCC - VO）
×
Io
＋
VCC
×
ICCA
可接受的损失Pd≥Pc
为了在可接受的损耗内操作解决这一对负载电流IO ：
（请参阅图8和图20为ICCA ）。
这样，就可以找到的最大负载电流Io
最大
相对于所施加的电压Vcc在热设计的时间。
·计算
例子
例1）当Ta = 85 ℃ ， VCC = 8.3V ， VO = 3.3V ， BA33DD0WT
1.04－8.3×Icca
IO =
5
IO ≦ 200毫安（ ICCA ： 2毫安）
随着IC独：
θJA = 62.5 ℃ / W →
-16mW/℃
25℃=2000mW
→
85℃=1040mW
IO ≦钯 - 的Vcc × ICCA
VCC-武
VCC ：
输入电压
VO ：
输出电压
IO ：
负载电流
VCCA§
短路电流
请参考上面的信息，并保持热设计上可接受的损耗的范围内的所有操作
温度范围。
消耗电力的IC电脑时，有一个短路（ Vo和GND之间短路）为：
PC = VCC × （ ICCA + I短路）
* I短路：短路电流
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