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BA00DD0WCP-V5,BA00DD0WHFP,BA00DD0WT,
BA00CC0WT,BA00CC0WT-V5,BA00CC0WCP-V5,BA00CC0WFP
热
设计
HRP5
10
9
8
功率耗散钯（ W）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
环境温度： TA（ ℃ ）
125
150
0
0
25
50
75
100
环境温度： TA（ ℃ ）
125
150
板尺寸： 70 × 70 × 1.6
㎜
3
（董事会
包含热）
前面板上铜箔面积： 10.5 × 10.5
㎜
2
①2-layer
板（背面铜箔面积： 15 ×15
㎜
2
)
②2-layer
板（背面铜箔面积： 70 × 70
㎜
2
)
③4-layer
板（背面铜箔面积： 70 × 70
㎜
2
)
技术说明
To225FP-5
25
（1）
（2）
当使用最大热生病：
θj-c=6.25(℃/W)
当单独使用IC ：
θj-c=62.5(℃/W)
TO252-5
2.0
安装在罗门哈斯标准板
板尺寸： 70 × 70 × 1.6
㎜
铜箔面积： 7 × 7
㎜
TO252-5θja=96.2(℃/W)
20
1.6
功率耗散钯（ W）
功率耗散钯（ W）
③
7.3W
（
1
）
20.0
15
1.2
1.30
②
5.5W
10
0.8
①
2.3W
5
0.4
（
2
）
2.0
0.0
0
25
50
75
100
环境温度： TA（ ℃ ）
125
150
Fig.30
Fig.31
Fig.32
当在高温使用过的Ta = 25℃ ，请参阅热量减少到32如图30所示的特性。
该集成电路的特性密切相关，在该集成电路中所用的温度，因此，它操作的集成电路在必要
温度低于最大结温Tj
最大
.
图31示出了TO220FP包被示出的部分的可接受的损耗和热还原特征
对角线是能够与IC单独使用的可接受损失范围。甚至当环境温度Ta是一个
常温（ 25 ℃ ） ，芯片（结）温Tj可能会相当高，所以请操作IC温度
比上可接受的损失钯以下。
VCC：输入电压
VO =输出电压
计算方法的功率消耗邮编（W）如下：
IO：负载电流
ICCA ：电路电流
PC = （VCC - VO） × IO +的Vcc × ICCA
可接受的损失Pd≥Pc
为了在可接受的损耗内操作解决该负载电流Io ，
IO =
钯 - 的Vcc × ICCA
VCC-武
（请
参阅图8和图20为ICCA ）。
这样，就可以找到的最大负载电流Io
最大
相对于所施加的电压Vcc在热设计的时间。
计算示例
例1）当Ta = 85 ℃ ， VCC = 8.3V ， VO = 3.3V ， BA33DD0WT
1.04－8.3×Icca
IO =
5
IO ≦ 200毫安（ ICCA ： 2毫安）
随着IC独：
θJA = 62.5 ℃ / W →
-16mW/℃
25℃=2000mW
→
85℃=1040mW
请参考上面的信息，并保持热设计上可接受的损耗的范围内的所有操作
温度范围。消耗电力的IC电脑时，有一个短路（ Vo和GND之间短路）为：
PC = VCC × （ ICCA + I短路）
ISHORT ：短路电流
终奌站
附近设置及注意事项
-vcc
终奌站
请附上Vcc和GND之间的电容（大于0.33μF ） 。
的电容值不同而不同的应用程序，所以请选择具有足够余量的电容器和验证
在一个实际的电路板的操作。
· CTL
终奌站
将CTL端子电压为2.0V时导通，在操作电源电压范围内的更高和断开在0.8V和下限。
电源和CTL终端可以启动并以任何顺序关闭，没有问题。
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